預計年我國濺射靶材的市場規(guī)模有望持續(xù)擴大，復合增速將維持在2016年20%左右增速水平。大部分國家銦消費的70%都用來生產(chǎn)ITO靶材電子半導體和無線電領域銦具有沸點高、低電阻和抗腐蝕等特性，在電子半導體和無線電行業(yè)也有廣泛應用。有相當大部分的金屬銦用于生產(chǎn)半導體材料。在無線電和電子工業(yè)中，銦用于制造特殊的接觸裝置，即將銦和銀的氧化物經(jīng)混合后壓制而成。為了提高LED芯片的出光效率，人們想了許多辦法。比如，當前市場上出現(xiàn)了許多亮度較高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作為P型電極芯片的亮度要比采用通用電極的芯片高20％－30％。ITO是英文IndiumTinOdes的縮寫。

或成膜之后膜材受二次電子轟擊造成微粒飛濺，這些微粒的出現(xiàn)會降低薄膜品質(zhì)。在較大規(guī)模集成電路制作工藝過程中，每150mm直徑硅片所能允許的微粒數(shù)必須小于30個。怎樣控制濺射靶材的晶粒，并提高其致密度以解決濺射過程中的微粒飛濺問題是濺射靶材的研發(fā)的關鍵。靶材濺射時，靶材中的原子容易沿著密排面方向優(yōu)先濺射出來，材料的結晶方向?qū)R射速率和濺射膜層的厚度均勻性影響較大，終影響下游產(chǎn)品的品質(zhì)和性能。需根據(jù)靶材的籌備結構特點，采用不同的成型方法，進行反復的塑性變形、熱處理工藝加以控制。銦是中國在儲量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。ITO靶材，制造的原料In是我國擁有的關鍵稀土銦，但由于不會加工，等日采購。顯示面板的上游更是日本企業(yè)壟斷。

ITO究竟是什么？ITO是IndiumTinOdes的縮寫，即摻錫氧化銦。是透明導電氧化物TCOs的一種，由于良好的導電性和透明性的組合性能，成為主要的透明導電材料。靶材的主要性能要求純度純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”,8“發(fā)展到12”,而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。雜質(zhì)含量靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。粉賣。

光記錄靶材主要指在光盤制造中使用到的濺射靶材。結構簡單的光盤主要由基板、記錄層、反射層、保護層和印刷層組成，結構復雜的光盤層數(shù)超過10層，有記錄層、反射板和保護層。國外濺射靶材生產(chǎn)商數(shù)量眾多，但是側重不同，在各個細分市場各有優(yōu)勢。高純?yōu)R射靶材的市場規(guī)模日益擴大，呈現(xiàn)高速增長的勢頭。高純金屬靶材的業(yè)績增長主要取決于三個因素。根據(jù)整理的數(shù)據(jù)顯示，外業(yè)務收入502億，占半導體行業(yè)總營收1130億元的約44.48%。平板顯示用靶材（含觸摸屏）年市場銷售額38.1億美元，占比34%；占比29%；太陽能電池用靶材市場銷售額23.4億美元，占比21%；11.9億美元，占比10%。但是國內(nèi)靶材市占率不足2%，整體需求占比在三成左右。伴隨高等制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)向國內(nèi)轉移，靶材供應正逐漸從國外切換到國內(nèi)。

靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術壁壘。銀是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比，太陽能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽為半導體芯片材料的強者，半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應用廣泛，因貨品有良好的化學穩(wěn)定性，高電導率、熱導率，以及特有的電學、磁學、光學等性能。

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